Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik von Wolfram Brauer | ISBN 9783322863256

Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik

von Wolfram Brauer
Buchcover Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik | Wolfram Brauer | EAN 9783322863256 | ISBN 3-322-86325-5 | ISBN 978-3-322-86325-6

Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik

von Wolfram Brauer

Inhaltsverzeichnis

  • 1. Kristallstruktur und Symmetrien.
  • 1.1. Translationsgruppe.
  • 1.2. Punktgruppe.
  • 1.3. Fraktionelle Translationen.
  • 1.4. Beispiel: fcc-Gitter.
  • 2. Elektron im idealen Kristallpotential.
  • 2.1. Kristallpotential.
  • 2.2. Symmetrieoperatoren.
  • 2.3. Eigenwertproblem der Translationsoperatoren.
  • 2.4. Blochsches Theorem.
  • 2.5. Energiebänder.
  • 2.6. Periodische Randbedingung.
  • 2.7. Zustandsdichte. Kritische Punkte.
  • 2.8. Impulsmessung. Erwartungswert des Impulses. f-Summensatz.
  • 2.9. Halbleiter-Bandstrukturen.
  • 3. Methoden zur Berechnung der Bandstruktur.
  • 3.1. Qualitative Form des Kristallpotentials.
  • 3.2. Eigenwertproblem und Entwicklungsfunktionen.
  • 3.3. Entwicklung nach Bloch-Summen.
  • 3.4. Bindungs-Orbital-Modell.
  • 3.5. Entwicklung nach ebenen Wellen.
  • 3.6. Orthogonalisierte ebene Wellen.
  • 3.7. Pseudopotential.
  • 3.8. ? · p-Methode.
  • 3.9. Hartree-Fock-Slater-Kristallpotential.
  • 4. Störstellen.
  • 4.1. Charakterisierung von Störstellen.
  • 4.2. Effektivmassennäherung.
  • 4.3. Energieniveaus von Substitutionsstörstellen.
  • 5. Statistik der Ladungsträger im Gleichgewicht.
  • 5.1. Ladungsträgerdichte in den Bändern.
  • 5.2. Ladungsträgerdichte in den Störstellen.
  • 5.3. Bestimmung des chemischen Potentials.
  • 6. Bornsche Gitterdynamik.
  • 6.1. Schwingungszweige. Phononen.
  • 6.2. Phononen kleiner w-Vektoren.
  • 7. Lineare Wechselwirkung der Elektronen mit einem äußeren elektromagnetischen Feld.
  • 7.1. Mikroskopischer Quasileitfähigkeitstensor.
  • 7.2. Weitere mikroskopische Responsefunktionen.
  • 7.3. Näherung des selbstkonsistenten Feldes.
  • 8. Elektronische optische Eigenschaften.
  • 8.1. Dielektrischer Tensor.
  • 8.2. Mikroskopische Theorie des dielektrischen Tensors..
  • 8.3. Interbandübergänge.
  • 8.4. Plasmabereich.
  • 8.5. Exzitonen.
  • 9. Kristallpotential im Bindungsladungsmodell. Modellpotential.
  • 9.1. Nichtlineare Abschirmung des Ionenpotentials.
  • 9.2. Bindungsladungsmodell.
  • 9.3. Modellpotential.
  • 10. Mikroskopische Theorie der Gitterdynamik.
  • 10.1. Bewegungsgleichung der Ionen.
  • 10.2. Dynamische Matrix.
  • 10.3. Effektiver Ladungstensor.
  • 10.4. Polaritonen in Kristallen mit Zinkblendestruktur.
  • 10.5. Gitteranteil der dielektrischen Funktion.
  • 11. Elektron-Phonon-Wechselwirkung.
  • 11.1. Wechselwirkungsoperator.
  • 11.2. Deformationspotential.
  • 11.3. Elektron-Phonon-Streuung.
  • 12. Boltzmann-Gleichung.
  • 13. Lösungen der Boltzmann-Gleichung.
  • 13.1. Relaxationszeit.
  • 13.2. Ellipsoidische Energieflächen.
  • 13.3. Kohlersches Variationsverfahren.
  • 14. Elektrische Leitfähigkeit.
  • 14.1. Streuung an ionisierten Störstellen.
  • 14.2. Deformationspotential-Streuung.
  • 14.3. Polare Streuung.
  • 14.4. Drudeformel. Leitfähigkeit bei tiefen Frequenzen.
  • 15. Galvanomagnetische Effekte.
  • 15.1. Jones-Zener-Lösung.
  • 15.2. Hall-Effekt.
  • 15.3. Magnetowiderstand.
  • Appendix 1.
  • Appendix 2.
  • Appendix 3.
  • Appendix 4.
  • Appendix 5.
  • Appendix 6.
  • Appendix 7.
  • Appendix 8.
  • Appendix 9.
  • Appendix 10.
  • Literatur.
  • Verzeichnis der wichtigsten Symbole.